Разработка технологии производства сверхвысокоомных эпитаксиальных структур кремния

Все более широкое применение в производстве различных типов полупроводниковых приборов находят кремниевые эпитаксиальные структуры с очень высокими значениями удельного сопротивления эпитаксиального слоя от 100 до 3000 Ом.см.

Такие эпитаксиальные структуры могут быть сформированы как на подложках с малой концентрацией примеси, так и на сильнолегированных подложках (N++ или P++ типа). При этом особое внимание уделяется профилю удельного сопротивления в переходной области подложка-эпислой. Для многих приборных применений ширина переходной области должна быть как можно меньше, в то время как область постоянной концентрации эпитаксиального слоя (flat zone) максимально широкой. В зависимости от конечного применения эпитаксиальная структура со сверхвысокоомным слоем может быть дополнена другими слоями, вплоть до сильнолегированных N++ или P++ эпитаксиальных слоев.

Среди наиболее распространенных применений сверхвысокоомных эпитаксиальных структур кремния различные фотодиоды, детекторы заряженных частиц, P-i-N диоды.