Патенты

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к кремниевым солнечным элементам на основе эпитаксиальной технологии для наземного или космического применения, и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов.

Сущность изобретения состоит в том, что в данном солнечном элементе, сформированном на высоколегированной подложке, эмиттер является основной поглощающей и генерирующей носители областью, причем эпитаксиальный эмиттер состоит из двух областей, каждая из которых имеет переменный по толщине профиль легирования. Низколегированная область, примыкающая к pn-переходу, обеспечивает основное поглощение света, высоколегированная область служит для формирования контакта. В качестве кремниевой подложки может быть использован монокристаллический или мультикристаллический кремний p- или n-типа проводимости.

Использование данной конструкции солнечного элемента позволяет повысить эффективность преобразования солнечной энергии.

Дата начала отсчета срока действия патента: 20.12.2007

Изобретение относится к области производства полупроводниковых структур кремния и германия и может быть использовано при изготовлении структур для интегральных микросхем, в том числе требующих диэлектрической изоляции отдельных компонентов, дискретных приборов и солнечных элементов.

Сущность изобретения состоит в том, что в способе формирования полупроводниковых структур эпитаксиальный слой на исходной пластине наращивают с использованием пластины-источника в режиме химического переноса полупроводника в галогенсодержащей водородной атмосфере с пластин на соседние пластины через зазор при минимальном протоке реагентов или в застойной атмосфере.

Использование изобретения позволяет снизить затраты на производство эпитаксиальных структур для интегральных микросхем, дискретных приборов, в том числе солнечных элементов.

Дата начала отсчета срока действия патента: 28.04.2009

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.

В качестве материала подложки могут быть использованы: лейкосапфир (корунд), шпинель, алмаз, кварц и т.п. Слои кремния на данных подложках могут быть использованы для изготовления радиационно-стойких интегральных схем, СВЧ приборов, а также различных тензометрических и фоточувствительных датчиков. Помимо этого, данные структуры могут быть использованы в качестве заготовок при изготовлении ультратонких структур кремния на изоляторе, получаемых с помощью аморфизации и рекристаллизации слоя полупроводника, а также с применением других операций.

Задачей предлагаемого изобретения является получение слоя кремния высокого качества и снижение себестоимости процесса изготовления. Это достигается тем, что в способе изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке, включающем расположение подложки в эпитаксиальном реакторе, нагрев рабочей поверхности подложки до температуры 900-1000°C, подачу потока реакционного газа, состоящего из инертного газа-носителя и моносилана, наращивание кремния из реакционного газа до образования начального сплошного слоя на рабочей поверхности подложки, добавление к потоку реакционного газа потока галогенсодержащего реагента и формирование эпитаксиального слоя кремния требуемой толщины, начальный сплошной слой кремния наращивают при значениях скорости роста от 3000 А/мин до 6000 А/мин, после чего расход потока реакционного газа уменьшают, снижая скорость роста на 500-2000 А/мин, к потоку реакционного газа добавляют поток насыщенного пара галогенида кремния или газообразного галогенсилана, значение расхода которого задают таким образом, чтобы достигнуть значений скорости роста начального слоя, и формируют эпитаксиальный слой кремния требуемой толщины.

Автор(ы):

Соколов Евгений Макарович (RU), Федотов Сергей Дмитриевич (RU), Стаценко Владимир Николаевич (RU),Тимошенков Сергей Петрович (RU)

Патентообладатель(и):

Акционерное общество "Эпиэл" (RU)

Предлагаемые устройство и способ относятся к области измерительной техники, а более конкретно к устройствам и способам, предназначенным для измерения электрофизических параметров полупроводниковых монокристаллических пластин, в том числе автоэпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур, а также структур полупроводник на изоляторе. Измерение проводится с помощью формирования на поверхности полупроводника выпрямляющего контакта электролит-полупроводник. Создание такого контакта позволяет получать вольт-амперную характеристику (ВАХ) и значение напряжения лавинного пробоя исследуемого материала, что делает возможным прогнозирование характеристик будущих полупроводниковых приборов, а также вычисление электрофизических параметров полупроводника, таких как удельное сопротивление и концентрация носителей заряда.

Устройство содержит два электролитических зонда, у которых каждый корпус представлен в виде полой прозрачной трубки из диэлектрического материала, с одного конца которой закреплен монолитный наконечник из диэлектрического капиллярного или пористого материала в форме конуса с удлиненным цилиндрическим основанием, а с другого конца закреплена пробка из резины. Электроды устройства выполнены в виде колец из инертного металла и расположены на внешней поверхности конусных наконечников. Материал конусных наконечников пропитывают электролитом, зонды устанавливают на измеряемую пластину конусными наконечниками по нормали к лицевой поверхности, прикладывают к электродам постоянное напряжение разной полярности, постепенно увеличивают величину постоянного напряжения и одновременно подают на измерительные электроды электролитических зондов короткие периодические синусоидальные импульсы напряжения с амплитудой, большей, чем величина постоянного напряжения. Регистрируют вольт-амперную характеристику полупроводника с помощью устройств вывода радиоизмерительного прибора.

Изобретение обеспечивает возможность увеличения точности производимых измерений и расширения области применения.

Автор(ы):

Кочин Руслан Николаевич (RU), Федотов Сергей Дмитриевич (RU), Люблин Валерий Всеволодович (RU), Шварц Карл-Генрих Маркусович (RU)

Патентообладатель(и):

Акционерное общество "Эпиэл" (RU)

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике, включающий формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя крмния до требуемых значений толщины, отличающийся тем, что наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945 С до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975 С, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960 С.

Автор(ы):

Соколов Евгений Макарович (RU), Федотов Сергей Дмитриевич (RU), Стаценко Владимир Николаевич (RU),Тимошенков Сергей Петрович (RU)

Патентообладатель(и):

Акционерное общество "Эпиэл" (RU)