История
АО «Эпиэл» было образовано в 1998 году в Зеленограде специалистами НИИ Материаловедения и НИИ Точного Машиностроения в качестве самостоятельного предприятия, специализирующегося на производстве кремниевых эпитаксиальных структур для отечественной микроэлектроники.
За сравнительно короткий срок компания превратилась в российского лидера в сфере эпитаксии кремния. Это стало возможным благодаря концентрации в АО «Эпиэл» лучших отечественных специалистов в области эпитаксии, а также благодаря высокой ответственности перед потребителями и постоянному совершенствованию технологий эпитаксиального производства компании.
Диаметр пластины, из которой изготовлена эпитаксиальная структура, является основополагающим параметром, который в значительной степени отражает уровень технологии как производителей структур, так и производителей электронных компонентов. Начав с производства кремниевых эпитаксиальных структур диаметром 60, 76 и 100 мм на отечественном оборудовании, предприятие прошло путь поэтапной модернизации, расширения производства и совершенствования технологий. Результатом этой работы является современное отечественное инновационное производство кремниевых эпитаксиальных структур диаметром до 200 мм, не уступающее по уровню технологии зарубежным производителям.
История АО «Эпиэл» в датах | |
---|---|
2017 | Сертификация СМК на соответствие стандарту ISO 9001:2015 |
2014 | Расширены мощности нового производственного участка за счет введения дополнительного оборудования для производства кремниевых эпитаксиальных структур диаметром 150 и 200 мм |
2012 | В рамках программы модернизации предприятия запущен новый производственный участок и начато освоение производства эпитаксиальных структур диаметром 200 мм |
2010 |
Освоение производства эпитаксиальных структур Кремний на Сапфире диаметром 76 и 100 мм для Интегральных Схем и Тензодатчиков |
2009 |
В Эпиэл изготовлена первая в России и СНГ эпитаксиальная структура диаметром 200 мм |
2008 |
Сертификация СМК на соответствие стандарту ISO 9001:2008 |
2006 |
Освоение технологий производства эпитаксиальных структур с 2-мя скрытыми слоями |
2005 |
Освоение технологий производства эпитаксиальных структур для ДМОП транзисторов, УБД |
2004 |
Сертификация СМК на соответствие стандарту ISO 9001:2000 |
2003 |
Освоение технологий производства эпитаксиальных структур для IGBT, диодов Шоттки, силовых транзисторов |
2002 |
Сертификация СМК на соответствие стандарту ISO 9002:1994 |
2000 |
Запуск нового участка для производства эпитаксиальных структур диаметром до 150 мм |
1998 |
Год основания |