ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 
ОКР "Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире"

ОКР "Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире"

Достигнутый уровень параметров в соответствии с заданными требованиями позволяет применять разработанную в рамках ОКР технологию для изготовления структур «кремний на сапфире» (КНС) диаметром 150 мм с ультратонким приборным слоем кремния для последующего производства интегральных схем. Структуры КНС диаметром 150 мм с ультратонким слоем кремния могут быть использованы для производства электронных компонентов современного научно-технического уровня, применяемых как в технике военного назначения, так и в электронике гражданского назначения. В частности, ЭКБ на основе данного типа структур является востребованной в таких областях как:

- Электронные системы космической техники;
- Электронные системы атомных электростанций и хранилищ;
- СВЧ и ВЧ-техника;
- Оптоэлектроника;
- Связь.


Дата окончания:  декабрь 2011
Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb