ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 
Патенты

Патенты

Патенты

  • Патент RU 2360324 C1 "Кремниевый солнечный элемент с эпитаксиальным эмиттером"
  • Патент RU 2393585 C1 "Способ формирования полупроводниковых структур"
  • Патент RU 2618279 C1 "Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке"
  • Патент RU 2618598 C1 "Измерительное зондовое устройство и способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин"
  • Патент RU 2646070 C1 "Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике"
Москва, Зеленоград, улица Академика Валиева 6 (бывший 1-й Западный проезд 12), стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb