ЗАО «Эпиэл» представляет кремниевые эпитаксиальные структуры диаметром 200 мм для дискретных приборов силовой электроники
-
17.01.2013
В то время как индустрия микропроцессоров и интегральных схем переходит на пластины больших диаметром (300 и 450 мм), в секторе дискретных приборов силовой электроники по-прежнему преобладают пластины диаметром 150 мм и 200 мм. С недавним появлением на рынке 200 мм кремниевых пластин N-типа в микроэлектронике начался переход производства приборов силовой электроники с пластин диаметром 150 мм на 200 мм пластины.
Следуя этому глобальному тренду Эпиэл представляет кремниевые эпитаксиальные структуры диаметром 200 мм для дискретных приборов силовой электроники. В производстве структур мы используем эпитаксиальное оборудование горизонтального типа, которое имеет уникальные характеристики процесса для толстых слоев и позволяет получать пленки кремния превосходного качества. Благодаря автоматизированной загрузке и групповой обработке пластин наше оборудование обеспечивает высокую производительность и конкурентную стоимость структур.
Мировой рынок силовых полупроводниковых приборов оценивается в 13-15 млрд. долл. (около 5% мирового рынка полупроводников) и демонстрирует стабильный рост. Наиболее быстрорастущий сегмент – IGBT транзисторы (более 1 млрд. долл.), изготавливаемые на эпитаксиальных структурах с толстыми слоями кремния. Рост обусловлен высокой активностью на рынке гибридных автомобилей, электроприводов промышленных двигателей и инвертеров для солнечных энергосистем.
Подробнее в разделе Кремниевые эпитаксиальные структуры