ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 

Продукция

Кремниевые эпитаксиальные структуры

Кремниевые эпитаксиальные структуры находятся в основании пирамиды, на которой строится современная радиоэлектроника, поскольку они являются базовым материалом для производства широкого спектра микроэлектронных компонентов, применяемых в электронной технике гражданского, военного и космического назначения.

АО «Эпиэл» специализируется на производстве кремниевых эпитаксиальных структур в широком диапазоне параметров для наиболее востребованных применений, среди которых:

Диоды

  • Диоды Шоттки
  • Ультра-быстрые диоды
  • Диоды Зенера
  • PIN диоды
  • Диодные ограничители напряжения (TVS)
  • и прочие

Транзисторы

  • Силовые IGBT
  • Силовые DMOS
  • MOSFET
  • Средне-мощные
  • Слабо-сигнальные
  • и прочие

Интегральные схемы

  • Биполярные ИС
  • EEPROM
  • Усилители
  • Микропроцессоры
  • Микроконтроллеры
  • RFID
  • и прочие

Мы производим эпитаксиальные структуры как на собственных подложках, так и на пластинах заказчика.

Производителям интегральных схем мы оказываем услуги по наращиваю эпитаксиальных слоев на пластинах со скрытыми слоями (ионно-легированные и диффузионные структуры).

IMG

IMG

IMG

Диапазон параметров Кремниевых Эпитаксиальных Структур
Диаметр подложки 76 мм, 100 мм, 150 мм, 200 мм
Ориентация (111), (100)
Легирующая примесь подложки Сурьма, Бор, Мышьяк
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 3,0 – 150
Легирующая примесь эпитаксиального слоя Фосфор, Бор, Мышьяк
Удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом.см
n-тип 0,01 – 500
p-тип 0,01 – 100
Типы однослойных структур n-n+, p-n+, p-p+, n-p+
Типы двухслойных структур n1-n2-n+, n1-n2-p+, n-p-n+, p-n-p
Эпитаксия на пластинах со скрытыми слоями до 3-х скрытых слоев

Отправить запрос


Возврат к списку

Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb