ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 
НИОКР

НИОКР

Помимо производственных задач АО «Эпиэл» также проводит исследования и выполняет опытно-конструкторские работы в области эпитаксиальной технологии. Наша инженерная команда имеет богатый опыт реализации НИОКР, которые выполняются как в целях технологического развития предприятия, так и по внешним заказам, в том числе в рамках государственных контрактов.

Текущие работы

В настоящий момент инженеры ЗАО «Эпиэл» работают над выполнением следующих работ:

  • Разработка макета установки и высокопроизводительной низкозатратной технологии эпитаксии кремния для применения в микроэлектронике и производстве солнечных элементов
    Дата окончания:  -

Выполненные работы

В активе ЗАО «Эпиэл» следующие успешно реализованные работы:

  • ОКР Разработка технологии изготовления эпитаксиальных структур кремния n-n+ типа с переменным профилем легирования эпитаксиального слоя диаметром до 200 мм для ДМОП транзисторов
    Дата окончания:  декабрь 2013
  • ОКР "Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире"
    Дата окончания:  декабрь 2011
  • ОКР «Разработка технологии производства гетероструктур Si/SiGe и Si/SiGe:С в составе гетеробиполярного транзистора для SiGe БиКМОП СБИС с проектными нормами 0,25-0,18 мкм»
    Дата окончания:  октябрь 2011
  • ОКР «Разработка конструктивно-технологических решений и базовой технологии производства многослойных кремниевых эпитаксиальных структур для создания больших интегральных схем с проектными нормами уровня 0,25-0,18 мкм»
    Дата окончания:  октябрь 2009
  • ОКР «Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для современных силовых полупроводниковых приборов»
    Дата окончания:  июнь 2009
  • ОКР «Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур диаметром до 200 мм для технологии СБИС 0,25-0,18 мкм»
    Дата окончания:  июнь 2009
Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb