ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 

Продукция

Эпитаксиальные структуры Кремний на Сапфире (КНС)

В 2007 году в АО «Эпиэл» было успешно освоено производство эпитаксиальных структур Кремний на Сапфире (КНС) диаметром 76 мм. Сегодня мы производим структуры КНС диаметром 76, 100 и 150 мм для таких применений как:

  • Датчики давления (Тензо-модули)
  • Интегральные схемы

Структуры КНС находят применение в производстве электронных компонентов как гражданского, так и промышленного назначения. В частности на их основе производятся высокочастотные интегральные схемы, применяемые в электронных системах связи, оптоэлектронике и других областях применений.

IMG

Диапазон параметров Структур КНС
Диаметр подложки 76 мм, 100 мм, 150 мм
Ориентация (1012) ± 1º
Легирующая примесь подложки -
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 0,3 – 2,0
Легирующая примесь эпитаксиального слоя Фосфор, Бор
Удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом.см
n-тип в соответствии со спецификацией
p-тип 1,0 – 0,01

Отправить запрос


Возврат к списку

Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb