ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 
Конференция Потребителей АО "Эпиэл" в честь 20-летия компании

Конференция Потребителей АО "Эпиэл" в честь 20-летия компании

  • 26.10.2018
    IMG 26 октября 2018 г. в Москве прошла Конференция Потребителей АО "Эпиэл", приуроченная к 20-летию компании. Мероприятие было организовано АО "Эпиэл" в целях консолидации предприятий отечественной микроэлектроники, стимулирования внутриотраслевой кооперации и выработки согласованного видения перспективных направлений развития отрасли. В Конференции приняли участие представители многих российских производителей микроэлектроники, среди которых ПАО "Микрон", АО "Ангстрем", АО "ВЗПП-Микрон", АО "ГЗ "Пульсар", АО "Светлана-Электронприбор", и других предприятий. В Программе Конференции звучали доклады участников о текущем развитии предприятий, перспективных разработках и планах по освоению новых технологий и продуктов.

    Тематики докладов участников Конференции приведены ниже:

    1. Эпиэл завтра. Освоение перспективных материалов // Стаценко В.Н. (АО «Эпиэл», председатель совета директоров, главный конструктор)
    2. Технология получения высокоомных эпитаксиальных слоев кремния // Люблин В.В. (АО «Эпиэл», главный технолог)
    3. Технологические газы российского производства для микроэлектроники // Босый П.Н. (ООО "Фирма "ХОРСТ", Руководитель отдела продаж)
    4. Повышение качества двухслойной эпитаксии со скрытыми слоями различного типа проводимости. Совместная разработка технологии формирования скрытых эпитаксиальных слоев, для производства серии современных TVS-диодов третьего поколения // Соловьев В.В. (АО «ВЗПП-Микрон», Зам. начальника цеха кристального производства)
    5. Эпитаксиальные структуры для TVS-диодов и низковольтных диодов Зенера // Шварц Г.М. (АО «Эпиэл», начальник лаборатории)
    6. Применение технологии защиты меток для наращивания эпитаксиальных слоев на биполярные изделия со скрытыми слоями при низких температурах. Разработка эпитаксиальных структур для изготовления 30-100В N и P канальных тренч МОСФЕТ на пластинах 200 мм // Войтех С.Н. (ПАО «Микрон», Главный специалист цеха 1)
    7. Использование метода газотранспортной хлоридной эпитаксии для получения толстых слоев кремния для кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ) // Тарасов Д.В. (АО «Эпиэл», инженер-исследователь)
    8. Высокоточные датчики давления МИДА на основе структур кремний-на-сапфире // Савченко Е.Г. (ЗАО «МИДАУС», ИО начальника НИЛ)
    9. Изучение подвижности электронов и ВАХ полевых транзисторов в зависимости от структурных и электрофизических характеристик ультратонкого кремния на сапфире // Федотов С.Д. (АО «Эпиэл», научный сотрудник); Романов А.А. (АО «Ангстрем»); Егоров Н.Н. (АО «НИИМВ»)
    10. Структуры кремний-на-сапфире для радиационно-стойких КМОП СБИС // Чумак В.Д. (АО «Эпиэл», главный конструктор структур КНС)
    11. Текущее состояние и перспективы использования кремниевых пластин с эпитаксиальным слоем в производстве ФПЗС в НПП «ЭЛАР» // Патоков Н.О. (АО «НПП «ЭЛАР»)
    12. Исследование процесса молекулярно-лучевого роста гетероэпитаксиальных слоев Ga(Al)N на темплейтах 3С-SiC/Si // Федотов С.Д. (АО «Эпиэл», научный сотрудник)

Возврат к списку

Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb