ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 
ОКР «Разработка технологии производства гетероструктур Si/SiGe и Si/SiGe:С в составе гетеробиполярного транзистора для SiGe БиКМОП СБИС с проектными нормами 0,25-0,18 мкм»

ОКР «Разработка технологии производства гетероструктур Si/SiGe и Si/SiGe:С в составе гетеробиполярного транзистора для SiGe БиКМОП СБИС с проектными нормами 0,25-0,18 мкм»


Дата окончания:  октябрь 2011
Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb