ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 
ОКР Разработка технологии изготовления эпитаксиальных структур кремния n-n+ типа с переменным профилем легирования эпитаксиального слоя диаметром до 200 мм для ДМОП транзисторов

ОКР Разработка технологии изготовления эпитаксиальных структур кремния n-n+ типа с переменным профилем легирования эпитаксиального слоя диаметром до 200 мм для ДМОП транзисторов

Одним из решений, которое позволит выпустить на рынок высоковольтные ДМОП транзисторы с конкурентными ценой и параметрами, является использование для изготовления транзисторов эпитаксиальных структур с переменным профилем легирования эпитаксиального слоя. Переменный профиль удельного сопротивления эпитаксиального слоя обеспечит возможность уменьшения площади кристалла без ухудшения параметров. Меньшая площадь приведет к удешевлению кристалла, позволит оптимизировать размеры и конструкцию корпуса, позволит снизить потребляемую мощность.


Дата окончания:  декабрь 2013
Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb