ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 

Успешно выполнен и сдан государственному заказчику второй этап ОКР по направлению SiGe эпитаксии

  • 17.12.2010

    ЗАО «Эпиэл» продолжает выполнение ОКР по разработке технологии изготовления эпитаксиальных структур диаметром 200 мм с кремний-германиевыми эпитаксиальными слоями для SiGe БиКМОП СБИС с проектными нормами 0,25-0,18 мкм.

    На данный момент успешно выполнен и сдан государственному заказчику уже второй этап ОКР, в рамках которого разработаны проекты конструкторской и технологической документации.

    Завершение работы в целом планируется на декабрь 2011 года.

Возврат к списку

Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (499) 995 0049
coweb